Tillverkare Produktnummer:
RN2706,LF
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN2706,LF-DG
Beskrivning:
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount USV
Inventarier:
4996 Pcs Ny Original I Lager
12891064
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN2706,LF Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära transistorarrayer, förinställda
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ström - kollektor (ic) (max)
100mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50V
Motstånd - bas (R1)
4.7kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
47kOhms
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
500nA
Frekvens - Övergång
200MHz
Effekt - Max
200mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Paket för leverantörsenhet
USV
Grundläggande produktnummer
RN2706
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
RN2706LFCT
RN2706,LF(B
RN2706LFTR
RN2706LFDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0075
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN1963(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN4906,LF
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1902FE,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6