Tillverkare Produktnummer:
RN2701,LF
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN2701,LF-DG
Beskrivning:
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount USV
Inventarier:
12890619
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN2701,LF Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära transistorarrayer, förinställda
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ström - kollektor (ic) (max)
100mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50V
Motstånd - bas (R1)
4.7kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
4.7kOhms
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 10mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
500nA
Frekvens - Övergång
200MHz
Effekt - Max
200mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Paket för leverantörsenhet
USV
Grundläggande produktnummer
RN2701
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
RN2701LFTR-DG
RN2701LFDKR-DG
RN2701,LF(B
RN2701LFDKR
264-RN2701,LFTR
RN2701LFTR
RN2701LFCT-DG
264-RN2701,LFCT
RN2701LFCT
264-RN2701,LFDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0075
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN1907,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN4986FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2505TE85LF
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
