RN2601(TE85L,F)
Tillverkare Produktnummer:

RN2601(TE85L,F)

Product Overview

Tillverkare:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Delenummer:

RN2601(TE85L,F)-DG

Beskrivning:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6

Inventarier:

253 Pcs Ny Original I Lager
12891766
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

RN2601(TE85L,F) Tekniska specifikationer

Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära transistorarrayer, förinställda
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ström - kollektor (ic) (max)
100mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50V
Motstånd - bas (R1)
4.7kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
4.7kOhms
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 10mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100nA (ICBO)
Frekvens - Övergång
200MHz
Effekt - Max
300mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SC-74, SOT-457
Paket för leverantörsenhet
SM6
Grundläggande produktnummer
RN2601

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
RN2601(TE85LF)DKR
RN2601(TE85LF)TR
RN2601(TE85LF)CT

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
diodes

DDC143EH-7

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1605TE85LF

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

diodes

DCX144EU-7-F

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2902FE,LF(CT

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6