Tillverkare Produktnummer:
RN2507(TE85L,F)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN2507(TE85L,F)-DG
Beskrivning:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV
Inventarier:
15 Pcs Ny Original I Lager
12891114
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN2507(TE85L,F) Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära transistorarrayer, förinställda
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Ström - kollektor (ic) (max)
100mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50V
Motstånd - bas (R1)
10kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
47kOhms
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100nA (ICBO)
Frekvens - Övergång
200MHz
Effekt - Max
300mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SC-74A, SOT-753
Paket för leverantörsenhet
SMV
Grundläggande produktnummer
RN2507
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
RN2507(TE85LF)DKR
RN2507(TE85LF)CT
RN2507(TE85LF)TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN4983,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1911FETE85LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN4902,LF
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
