Tillverkare Produktnummer:
RN2114MFV,L3F
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN2114MFV,L3F-DG
Beskrivning:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventarier:
8000 Pcs Ny Original I Lager
12889256
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN2114MFV,L3F Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Enkel, Förbiddad Bipolär Transistorer
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
PNP - Pre-Biased
Ström - kollektor (ic) (max)
100 mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50 V
Motstånd - bas (R1)
1 kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
10 kOhms
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
50 @ 10mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
500nA
Effekt - Max
150 mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SOT-723
Paket för leverantörsenhet
VESM
Grundläggande produktnummer
RN2114
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
8,000
Andra namn
RN2114MFVL3F-DG
264-RN2114MFV,L3FTR
264-RN2114MFV,L3FCT
264-RN2114MFV,L3FDKR
RN2114MFVL3F
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN1105ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
RN1101,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1405,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI