RN2112ACT(TPL3)
Tillverkare Produktnummer:

RN2112ACT(TPL3)

Product Overview

Tillverkare:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Delenummer:

RN2112ACT(TPL3)-DG

Beskrivning:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3

Inventarier:

10000 Pcs Ny Original I Lager
12891516
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

RN2112ACT(TPL3) Tekniska specifikationer

Kategori
Bipolär (BJT), Enkel, Förbiddad Bipolär Transistorer
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
PNP - Pre-Biased
Ström - kollektor (ic) (max)
80 mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50 V
Motstånd - bas (R1)
22 kOhms
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
150mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100nA (ICBO)
Effekt - Max
100 mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SC-101, SOT-883
Paket för leverantörsenhet
CST3
Grundläggande produktnummer
RN2112

Ytterligare information

Standard-paket
10,000
Andra namn
RN2112ACT(TPL3)TR
RN2112ACT(TPL3)CT
RN2112ACT(TPL3)DKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1119MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1417(TE85L,F)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

diodes

DDTA123TKA-7-F

TRANS PREBIAS PNP 50V SC59-3

diodes

DDTA124EUA-7-F

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323