Tillverkare Produktnummer:
RN1911,LF(CT
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN1911,LF(CT-DG
Beskrivning:
NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount US6
Inventarier:
12889233
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN1911,LF(CT Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära transistorarrayer, förinställda
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ström - kollektor (ic) (max)
100mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50V
Motstånd - bas (R1)
10kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
-
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100nA (ICBO)
Frekvens - Övergång
250MHz
Effekt - Max
100mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket för leverantörsenhet
US6
Grundläggande produktnummer
RN1911
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
RN1911LF(CTDKR
RN1911LF(CTTR
RN1911,LF(CB
RN1911LF(CTCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0075
Alternativa modeller
DELNUMMER
MUN5215DW1T1G
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
8150
DEL NUMMER
MUN5215DW1T1G-DG
ENHETSPRIS
0.03
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
PUMH4,115
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
79292
DEL NUMMER
PUMH4,115-DG
ENHETSPRIS
0.03
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN2702,LF
TRANSISTOR PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM
RN4907,LF
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1906FE(T5L,F,T)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6