Tillverkare Produktnummer:
RN1908(T5L,F,T)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN1908(T5L,F,T)-DG
Beskrivning:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Inventarier:
2986 Pcs Ny Original I Lager
12890301
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN1908(T5L,F,T) Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära transistorarrayer, förinställda
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Cut Tape (CT)
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ström - kollektor (ic) (max)
100mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50V
Motstånd - bas (R1)
22kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
47kOhms
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100nA (ICBO)
Frekvens - Övergång
250MHz
Effekt - Max
200mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket för leverantörsenhet
US6
Grundläggande produktnummer
RN1908
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
RN1908(T5LFT)CT
RN1908(T5LFT)TR
RN1908(T5LFT)DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
PUMH16,115
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
5117
DEL NUMMER
PUMH16,115-DG
ENHETSPRIS
0.03
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN1711JE(TE85L,F)
TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH
RN2708JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN2904FE,LF
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
