Tillverkare Produktnummer:
RN1903FE,LF(CT
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN1903FE,LF(CT-DG
Beskrivning:
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventarier:
3000 Pcs Ny Original I Lager
12889265
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN1903FE,LF(CT Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära transistorarrayer, förinställda
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ström - kollektor (ic) (max)
100mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50V
Motstånd - bas (R1)
22kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
22kOhms
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 10mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
500nA
Frekvens - Övergång
250MHz
Effekt - Max
100mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SOT-563, SOT-666
Paket för leverantörsenhet
ES6
Grundläggande produktnummer
RN1903
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
RN1903FELF(CTCT
RN1903FE,LF(CB
RN1903FELF(CTDKR
RN1903FELF(CTTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0075
Alternativa modeller
DELNUMMER
PEMH1,115
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
4000
DEL NUMMER
PEMH1,115-DG
ENHETSPRIS
0.07
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN4907FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2967FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2604(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6