RN1711,LF
Tillverkare Produktnummer:

RN1711,LF

Product Overview

Tillverkare:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Delenummer:

RN1711,LF-DG

Beskrivning:

NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV

Inventarier:

3000 Pcs Ny Original I Lager
12891235
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

RN1711,LF Tekniska specifikationer

Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära transistorarrayer, förinställda
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ström - kollektor (ic) (max)
100mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50V
Motstånd - bas (R1)
10kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
-
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100nA (ICBO)
Frekvens - Övergång
250MHz
Effekt - Max
200mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Paket för leverantörsenhet
USV
Grundläggande produktnummer
RN1711

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
RN1711,LF(B
RN1711LFDKR
RN1711LFTR
RN1711LFCT

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0075
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1902T5LFT

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2909FE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1708,LF

NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1706JE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV