Tillverkare Produktnummer:
RN1711,LF
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN1711,LF-DG
Beskrivning:
NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV
Inventarier:
3000 Pcs Ny Original I Lager
12891235
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN1711,LF Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära transistorarrayer, förinställda
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ström - kollektor (ic) (max)
100mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50V
Motstånd - bas (R1)
10kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
-
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100nA (ICBO)
Frekvens - Övergång
250MHz
Effekt - Max
200mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Paket för leverantörsenhet
USV
Grundläggande produktnummer
RN1711
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
RN1711,LF(B
RN1711LFDKR
RN1711LFTR
RN1711LFCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0075
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN1902T5LFT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN2909FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN1708,LF
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
