Tillverkare Produktnummer:
RN1611(TE85L,F)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN1611(TE85L,F)-DG
Beskrivning:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventarier:
325 Pcs Ny Original I Lager
12889094
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN1611(TE85L,F) Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära transistorarrayer, förinställda
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ström - kollektor (ic) (max)
100mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50V
Motstånd - bas (R1)
10kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
-
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100nA (ICBO)
Frekvens - Övergång
250MHz
Effekt - Max
300mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SC-74, SOT-457
Paket för leverantörsenhet
SM6
Grundläggande produktnummer
RN1611
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
RN1611(TE85LF)TR
RN1611(TE85LF)CT
RN1611(TE85LF)DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
QSH29TR
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3000
DEL NUMMER
QSH29TR-DG
ENHETSPRIS
0.26
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN4985FE,LF(CT
NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
RN4990(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4906FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6