Tillverkare Produktnummer:
RN1610(TE85L,F)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN1610(TE85L,F)-DG
Beskrivning:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventarier:
1250 Pcs Ny Original I Lager
12891318
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN1610(TE85L,F) Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära transistorarrayer, förinställda
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ström - kollektor (ic) (max)
100mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50V
Motstånd - bas (R1)
4.7kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
-
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100nA (ICBO)
Frekvens - Övergång
250MHz
Effekt - Max
300mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SC-74, SOT-457
Paket för leverantörsenhet
SM6
Grundläggande produktnummer
RN1610
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
RN1610(TE85LF)CT
RN1610(TE85LF)DKR
RN1610(TE85LF)TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
Alternativa modeller
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN1709,LF
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
RN1962FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1503(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV