Tillverkare Produktnummer:
RN1131MFV(TL3,T)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN1131MFV(TL3,T)-DG
Beskrivning:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventarier:
3000 Pcs Ny Original I Lager
12889320
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN1131MFV(TL3,T) Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Enkel, Förbiddad Bipolär Transistorer
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Cut Tape (CT)
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
NPN - Pre-Biased
Ström - kollektor (ic) (max)
100 mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50 V
Motstånd - bas (R1)
100 kOhms
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100nA (ICBO)
Effekt - Max
150 mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SOT-723
Paket för leverantörsenhet
VESM
Grundläggande produktnummer
RN1131
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
8,000
Andra namn
RN1131MFVTL3T
RN1131MFV(TL3T)DKR
RN1131MFV(TL3T)CT
RN1131MFV(TL3T)TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
DTC115TM3T5G
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
DTC115TM3T5G-DG
ENHETSPRIS
0.03
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN1110(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1112ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
RN2103(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM