RN1131MFV(TL3,T)
Tillverkare Produktnummer:

RN1131MFV(TL3,T)

Product Overview

Tillverkare:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Delenummer:

RN1131MFV(TL3,T)-DG

Beskrivning:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM

Inventarier:

3000 Pcs Ny Original I Lager
12889320
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

RN1131MFV(TL3,T) Tekniska specifikationer

Kategori
Bipolär (BJT), Enkel, Förbiddad Bipolär Transistorer
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Cut Tape (CT)
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
NPN - Pre-Biased
Ström - kollektor (ic) (max)
100 mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50 V
Motstånd - bas (R1)
100 kOhms
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100nA (ICBO)
Effekt - Max
150 mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SOT-723
Paket för leverantörsenhet
VESM
Grundläggande produktnummer
RN1131

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
8,000
Andra namn
RN1131MFVTL3T
RN1131MFV(TL3T)DKR
RN1131MFV(TL3T)CT
RN1131MFV(TL3T)TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
DTC115TM3T5G
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
DTC115TM3T5G-DG
ENHETSPRIS
0.03
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1110(T5L,F,T)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1112ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2103(T5L,F,T)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1104T5LFT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM