Tillverkare Produktnummer:
RN1130MFV,L3F
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN1130MFV,L3F-DG
Beskrivning:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VESM
Inventarier:
7533 Pcs Ny Original I Lager
12889348
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN1130MFV,L3F Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Enkel, Förbiddad Bipolär Transistorer
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
NPN - Pre-Biased
Ström - kollektor (ic) (max)
100 mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50 V
Motstånd - bas (R1)
100 kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
100 kOhms
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 10mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
500nA
Frekvens - Övergång
250 MHz
Effekt - Max
150 mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SOT-723
Paket för leverantörsenhet
VESM
Grundläggande produktnummer
RN1130
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
8,000
Andra namn
RN1130MFV(TL3,T)
RN1130MFV,L3F(T
RN1130MFVTL3T
RN1130MFVL3FCT
RN1130MFVL3F-DG
RN1130MFV(TL3T)DKR
RN1130MFV(TL3T)CT
RN1130MFV,L3F(B
RN1130MFVL3FTR
RN1130MFV(TL3T)CT-DG
RN1130MFVL3FINACTIVE
RN1130MFVL3FDKR
RN1130MFVL3F
RN1130MFV(TL3T)TR
RN1130MFV(TL3T)DKR-DG
RN1130MFV(TL3T)TR-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0075
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN1101CT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
RN2405,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
RN1113ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3