RN1114(T5L,F,T)
Tillverkare Produktnummer:

RN1114(T5L,F,T)

Product Overview

Tillverkare:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Delenummer:

RN1114(T5L,F,T)-DG

Beskrivning:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM

Inventarier:

12889196
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

RN1114(T5L,F,T) Tekniska specifikationer

Kategori
Bipolär (BJT), Enkel, Förbiddad Bipolär Transistorer
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
NPN - Pre-Biased
Ström - kollektor (ic) (max)
100 mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50 V
Motstånd - bas (R1)
1 kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
10 kOhms
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
50 @ 10mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
500nA
Frekvens - Övergång
250 MHz
Effekt - Max
100 mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SC-75, SOT-416
Paket för leverantörsenhet
SSM
Grundläggande produktnummer
RN1114

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
RN1114T5LFT
RN1114(T5LFT)TR
RN1114(T5LFT)CT
RN1114(T5LFT)DKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0075
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1416,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1102MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

diodes

DDTC123JE-7-F

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2303,LF

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70