Tillverkare Produktnummer:
RN1109ACT(TPL3)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN1109ACT(TPL3)-DG
Beskrivning:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Inventarier:
12891570
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN1109ACT(TPL3) Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Enkel, Förbiddad Bipolär Transistorer
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
Typ av transistor
NPN - Pre-Biased
Ström - kollektor (ic) (max)
80 mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50 V
Motstånd - bas (R1)
47 kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
22 kOhms
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 10mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
150mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
500nA
Effekt - Max
100 mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SC-101, SOT-883
Paket för leverantörsenhet
CST3
Grundläggande produktnummer
RN1109
Ytterligare information
Standard-paket
10,000
Andra namn
RN1109ACT(TPL3)DKR
RN1109ACT(TPL3)TR
RN1109ACT(TPL3)CT
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
PDTC144TMB,315
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
PDTC144TMB,315-DG
ENHETSPRIS
0.02
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
PDTC144TM,315
Tillverkare
NXP Semiconductors
ANTAL TILLGÄNGLIGT
38937
DEL NUMMER
PDTC144TM,315-DG
ENHETSPRIS
0.03
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
PDTC144WM,315
Tillverkare
NXP Semiconductors
ANTAL TILLGÄNGLIGT
120000
DEL NUMMER
PDTC144WM,315-DG
ENHETSPRIS
0.03
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN1106MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1309(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN1404S,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
