Tillverkare Produktnummer:
RN1109(T5L,F,T)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN1109(T5L,F,T)-DG
Beskrivning:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventarier:
12890864
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN1109(T5L,F,T) Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Enkel, Förbiddad Bipolär Transistorer
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
Typ av transistor
NPN - Pre-Biased
Ström - kollektor (ic) (max)
100 mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50 V
Motstånd - bas (R1)
47 kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
22 kOhms
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 10mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
500nA
Frekvens - Övergång
250 MHz
Effekt - Max
100 mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SC-75, SOT-416
Paket för leverantörsenhet
SSM
Grundläggande produktnummer
RN1109
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
RN1109T5LFT
RN1109(T5LFT)TR
RN1109(T5LFT)DKR
RN1109(T5LFT)CT
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0075
Alternativa modeller
DELNUMMER
DDTC144WE-7-F
Tillverkare
Diodes Incorporated
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
DDTC144WE-7-F-DG
ENHETSPRIS
0.03
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN2105,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
RN2108ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
RN1118(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
