Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
2SK2866(F)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
2SK2866(F)-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 10A (Ta) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
Förfrågan Online
12891383
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
2SK2866(F) Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
750mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2040 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
2SK2866
Ytterligare information
Standard-paket
50
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRFB9N60APBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2220
DEL NUMMER
IRFB9N60APBF-DG
ENHETSPRIS
1.22
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STP10NK60Z
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
905
DEL NUMMER
STP10NK60Z-DG
ENHETSPRIS
1.46
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STP11NM60ND
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
STP11NM60ND-DG
ENHETSPRIS
1.81
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
FQPF10N60C
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
5
DEL NUMMER
FQPF10N60C-DG
ENHETSPRIS
1.07
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STP9NK60Z
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
35
DEL NUMMER
STP9NK60Z-DG
ENHETSPRIS
1.10
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SSM3K17SU,LF
MOSFET N-CH 50V 100MA USM
TK7A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
TK7A45DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 6.5A TO220SIS
2SJ438,Q(J
MOSFET P-CH TO220NIS