2SK2719(F)
Tillverkare Produktnummer:

2SK2719(F)

Product Overview

Tillverkare:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Delenummer:

2SK2719(F)-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 900 V 3A (Ta) 125W (Tc) Through Hole TO-3P(N)

Inventarier:

12889784
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

2SK2719(F) Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
900 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
750 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3P(N)
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Grundläggande produktnummer
2SK2719

Ytterligare information

Standard-paket
50

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J355R,LF

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K339R,LF

MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6J409TU(TE85L,F

MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6

toshiba-semiconductor-and-storage

TK20A60U(Q,M)

MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS