Tillverkare Produktnummer:
2SK2507(F)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
2SK2507(F)-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 50 V 25A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220NIS
Inventarier:
12890114
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
2SK2507(F) Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
50 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
46mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
30W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220NIS
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
2SK2507
Ytterligare information
Standard-paket
50
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SSM3J144TU,LF
MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
TPCA8062-H,LQ(CM
MOSFET N-CH 30V 28A 8SOP
TK35A08N1,S4X
MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS
