Tillverkare Produktnummer:
2SD2206(TE6,F,M)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
2SD2206(TE6,F,M)-DG
Beskrivning:
TRANS NPN 100V 2A TO92MOD
Detaljerad beskrivning:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2 A 100MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
Inventarier:
12891282
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
2SD2206(TE6,F,M) Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Enkel bipolära transistorer
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
Typ av transistor
NPN
Ström - kollektor (ic) (max)
2 A
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
100 V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
1.5V @ 1mA, 1A
Ström - Kollektorns avstängning (max)
10µA (ICBO)
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
2000 @ 1A, 2V
Effekt - Max
900 mW
Frekvens - Övergång
100MHz
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket / Fodral
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Paket för leverantörsenhet
TO-92MOD
Grundläggande produktnummer
2SD2206
Ytterligare information
Standard-paket
1
Andra namn
2SD2206TE6FM
2SD2206(TE6FM)
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0075
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
2SC4793,TOA1F(J
TRANS NPN 230V 1A TO220NIS
2SA2154CT-GR,L3F
TRANS PNP 50V 0.1A CST3
2SA1020-Y(T6CN,A,F
TRANS PNP 50V 2A TO92MOD