Tillverkare Produktnummer:
2SD1407A-Y(F)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
2SD1407A-Y(F)-DG
Beskrivning:
TRANS NPN 100V 5A TO220NIS
Detaljerad beskrivning:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 5 A 12MHz 30 W Through Hole TO-220NIS
Inventarier:
12891164
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
2SD1407A-Y(F) Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Enkel bipolära transistorer
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
Typ av transistor
NPN
Ström - kollektor (ic) (max)
5 A
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
100 V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
2V @ 400mA, 4A
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100µA (ICBO)
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1A, 5V
Effekt - Max
30 W
Frekvens - Övergång
12MHz
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Paket för leverantörsenhet
TO-220NIS
Grundläggande produktnummer
2SD1407
Ytterligare information
Standard-paket
50
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
MJF31CG
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
231
DEL NUMMER
MJF31CG-DG
ENHETSPRIS
0.44
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TTC004B,Q
TRANS NPN 160V 1.5A TO126N
2SB1495,Q(J
TRANS PNP 100V 3A TO220NIS
2SC3326-A,LF
TRANS NPN 20V 0.3A TO236
