XP231N02013R-G
Tillverkare Produktnummer:

XP231N02013R-G

Product Overview

Tillverkare:

Torex Semiconductor Ltd

DiGi Electronics Delenummer:

XP231N02013R-G-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 200MA SOT323-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-323-3A

Inventarier:

Förfrågan Online
12939037
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

XP231N02013R-G Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Torex Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
5Ohm @ 10mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
0.18 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6.5 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
350mW (Ta)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-323-3A
Paket / Fodral
SC-70, SOT-323
Grundläggande produktnummer
XP231

Datablad och dokument

Datablad
XP231N02013R-G

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
893-XP231N02013R-GCT
893-XP231N02013R-GTR
893-XP231N02013R-GDKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
torex-semiconductor

XP231N0201TR-G

MOSFET N-CH 30V 200MA

nexperia

BUK6Y61-60PX

MOSFET P-CH 60V 25A LFPAK56

comchip-technology

CMS55N06CT-HF

MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB

nexperia

PMN100EPAX

MOSFET P-CH 60V 2.5A 6TSOP