TPS1101D
Tillverkare Produktnummer:

TPS1101D

Product Overview

Tillverkare:

Texas Instruments

DiGi Electronics Delenummer:

TPS1101D-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 15 V 2.3A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventarier:

103 Pcs Ny Original I Lager
12823050
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

TPS1101D Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Texas Instruments
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
15 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.7V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
90mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
11.25 nC @ 10 V
Vgs (max)
+2V, -15V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
791mW (Ta)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
TPS1101

Datablad och dokument

Tillverkarens produktsida
TPS1101D Specifications
Datablad
TPS1101, TPS1101Y

Ytterligare information

Standard-paket
75
Andra namn
-TPS1101D-NDR
-TPS1101DG4-NDR
296-3381-5
-296-3381-5-DG
296-3381-5-NDR
TEXTISTPS1101D
TPS1101DG4-DG
-296-3381-5
-TPS1101DG4
TPS1101DG4
2156-TPS1101D

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IRFR5305TRLPBF

MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

infineon-technologies

IRL3215

MOSFET N-CH 150V 12A TO220AB

infineon-technologies

IRF7421D1PBF

MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO

nxp-semiconductors

PHD23NQ10T,118

MOSFET N-CH 100V 23A DPAK