Tillverkare Produktnummer:
CSD88539ND
Product Overview
Tillverkare:
Texas Instruments
DiGi Electronics Delenummer:
CSD88539ND-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SOIC
Inventarier:
5584 Pcs Ny Original I Lager
12818442
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
CSD88539ND Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Texas Instruments
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15A
rds på (max) @ id, vgs
28mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
9.4nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
741pF @ 30V
Effekt - Max
2.1W
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Grundläggande produktnummer
CSD88539
Datablad och dokument
Tillverkarens produktsida
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
CSD88539ND-DG
TEXTISCSD88539ND
2156-CSD88539ND
296-37304-6
296-37304-2
296-37304-1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
CSD87352Q5D
MOSFET 2N-CH 30V 25A 8LSON
VQ1006P
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
IRF7317PBF
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO
