Tillverkare Produktnummer:
CSD85312Q3E
Product Overview
Tillverkare:
Texas Instruments
DiGi Electronics Delenummer:
CSD85312Q3E-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Inventarier:
8301 Pcs Ny Original I Lager
12817111
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
CSD85312Q3E Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Texas Instruments
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-funktion
Logic Level Gate, 5V Drive
Tömning till källspänning (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
39A
rds på (max) @ id, vgs
12.4mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
15.2nC @ 4.5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2390pF @ 10V
Effekt - Max
2.5W
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
8-PowerVDFN
Paket för leverantörsenhet
8-VSON (3.3x3.3)
Grundläggande produktnummer
CSD85312
Datablad och dokument
Tillverkarens produktsida
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
-CSD85312Q3E-NDR
TEXTISCSD85312Q3E
2156-CSD85312Q3E
296-37187-6
296-37187-1
296-37187-2
-296-37187-1
-296-37187-1-DG
CSD85312Q3E-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
