CSD25501F3T
Tillverkare Produktnummer:

CSD25501F3T

Product Overview

Tillverkare:

Texas Instruments

DiGi Electronics Delenummer:

CSD25501F3T-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 20 V 3.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-LGA (0.73x0.64)

Inventarier:

18506 Pcs Ny Original I Lager
12815905
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

CSD25501F3T Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Texas Instruments
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
FemtoFET™
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
76mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.05V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
1.33 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
-20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
385 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
500mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
3-LGA (0.73x0.64)
Paket / Fodral
3-XFLGA
Grundläggande produktnummer
CSD25501F3

Datablad och dokument

Tillverkarens produktsida
CSD25501F3T Specifications
Datablad
CSD25501F3 Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
250
Andra namn
296-47556-2
296-47556-1
296-47556-6

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IRFR2407TRPBF

MOSFET N-CH 75V 42A DPAK

infineon-technologies

IRF6718L2TRPBF

MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET

texas-instruments

CSD16411Q3

MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON

infineon-technologies

IRFS4410ZTRLPBF

MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK