Tillverkare Produktnummer:
CSD18511KTTT
Product Overview
Tillverkare:
Texas Instruments
DiGi Electronics Delenummer:
CSD18511KTTT-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 110A (Ta), 194A (Tc) 188W (Ta) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
Inventarier:
641 Pcs Ny Original I Lager
12815540
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
CSD18511KTTT Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Texas Instruments
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Ta), 194A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5940 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
188W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (DDPAK-3)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
CSD18511
Datablad och dokument
Tillverkarens produktsida
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
296-47449-2
296-47449-1
296-47449-6
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
2 (1 Year)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
CSD16415Q5T
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
EPC2035
GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
SPD03N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 500V 3.2A TO252-3
