CSD16570Q5BT
Tillverkare Produktnummer:

CSD16570Q5BT

Product Overview

Tillverkare:

Texas Instruments

DiGi Electronics Delenummer:

CSD16570Q5BT-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 25 V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)

Inventarier:

25968 Pcs Ny Original I Lager
12815343
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

CSD16570Q5BT Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Texas Instruments
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
25 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
0.59mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14000 pF @ 12 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.2W (Ta), 195W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-VSONP (5x6)
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
CSD16570

Datablad och dokument

Tillverkarens produktsida
CSD16570Q5BT Specifications
Datablad
CSD16570Q5B

Ytterligare information

Standard-paket
250
Andra namn
296-38335-6
296-38335-2
296-38335-1

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IPP100N04S4H2AKSA1

MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1

infineon-technologies

IRFR3708TRPBF

MOSFET N-CH 30V 61A DPAK

vishay-siliconix

TP0202K-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3

texas-instruments

CSD17556Q5BT

MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON