Tillverkare Produktnummer:
STY100NM60N
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STY100NM60N-DG
Beskrivning:
MOSFET N CH 600V 98A MAX247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 98A (Tc) 625W (Tc) Through Hole MAX247™
Inventarier:
12874587
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STY100NM60N Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
MDmesh™ II
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
98A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
29mOhm @ 49A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
330 nC @ 10 V
Vgs (max)
25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9600 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
625W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
MAX247™
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
STY100
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
497-13289-5
-497-13289-5
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXFX120N65X2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
24
DEL NUMMER
IXFX120N65X2-DG
ENHETSPRIS
14.59
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STB14NM65N
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
STL23NM60ND
MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT
STF4NK50ZD
MOSFET N-CH 500V 3A TO220FP
