Tillverkare Produktnummer:
STW60NE10
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STW60NE10-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventarier:
12879150
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STW60NE10 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
-
Serie
STripFET™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
22mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5300 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
180W (Tc)
Drifttemperatur
175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-3
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
STW60N
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
497-2643-5
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXTQ75N10P
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3
DEL NUMMER
IXTQ75N10P-DG
ENHETSPRIS
2.44
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IXTH110N10L2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IXTH110N10L2-DG
ENHETSPRIS
12.20
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STB36NM60N
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
STWA45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
STF28N60M2
MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP