Tillverkare Produktnummer:
STW56N65M2-4
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STW56N65M2-4-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 49A (Tc) 358W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventarier:
12948515
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STW56N65M2-4 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
MDmesh™ M2
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
62mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
358W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-4
Paket / Fodral
TO-247-4
Grundläggande produktnummer
STW56
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
-497-15373-5
497-15373-5
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STD8N60DM2
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
STB22N60M6
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
SCTWA90N65G2V-4
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
