Tillverkare Produktnummer:
STW26N65DM2
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STW26N65DM2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventarier:
12873398
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STW26N65DM2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
MDmesh™ DM2
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
35.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1480 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
170W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-3
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
STW26
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
600
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
FCH190N65F-F155
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
415
DEL NUMMER
FCH190N65F-F155-DG
ENHETSPRIS
2.95
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
SCT3120ALGC11
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
6940
DEL NUMMER
SCT3120ALGC11-DG
ENHETSPRIS
4.30
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STP10NK62ZFP
MOSFET
STF15N80K5
MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
STB85NS04Z
MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
