Tillverkare Produktnummer:
STW25N60M2-EP
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STW25N60M2-EP-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventarier:
600 Pcs Ny Original I Lager
12876069
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STW25N60M2-EP Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
MDmesh™ M2-EP
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
188mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1090 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
150W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-3
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
STW25
Ytterligare information
Standard-paket
600
Andra namn
STW25N60M2-EP-DG
497-STW25N60M2-EP
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STB5NK52ZD-1
MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK
STFW6N120K3
MOSFET N-CH 1200V 6A ISOWATT
STP60NE06L-16
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
