Tillverkare Produktnummer:
STW14NM65N
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STW14NM65N-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventarier:
12879345
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STW14NM65N Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
-
Serie
MDmesh™ II
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-3
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
STW14N
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
-497-7032-5
497-7032-5
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STP5N60M2
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220
STB21NK50Z
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
STD38NH02L-1
MOSFET N-CH 24V 38A IPAK
