Tillverkare Produktnummer:
STW11NB80
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STW11NB80-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventarier:
12873821
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STW11NB80 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
-
Serie
PowerMESH™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
800mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
190W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-3
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
STW11N
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
497-2789-5
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXFR20N80P
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IXFR20N80P-DG
ENHETSPRIS
7.52
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
SPW11N80C3FKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2520
DEL NUMMER
SPW11N80C3FKSA1-DG
ENHETSPRIS
1.49
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STFU15N80K5
MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
STS5N15F3
MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
STF26N60M2
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
