Tillverkare Produktnummer:
STU9N60M2
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STU9N60M2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventarier:
3000 Pcs Ny Original I Lager
12875739
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STU9N60M2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
MDmesh™ II Plus
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
780mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
320 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
60W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-251 (IPAK)
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
STU9N60
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
75
Andra namn
497-13886-5-DG
-497-13886-5
497-13886-5
497-STU9N60M2
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STW42N65M5
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
STW54NM65ND
MOSFET N-CH 650V 49A TO247-3
STP22NS25Z
MOSFET N-CH 250V 22A TO220AB