STU9HN65M2
Tillverkare Produktnummer:

STU9HN65M2

Product Overview

Tillverkare:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Delenummer:

STU9HN65M2-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

Inventarier:

2373 Pcs Ny Original I Lager
12879444
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

STU9HN65M2 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
MDmesh™ M2
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
820mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
325 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
60W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-251 (IPAK)
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
STU9H

Ytterligare information

Standard-paket
75
Andra namn
497-16026-5
-497-16026-5

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
stmicroelectronics

STD12N65M5

MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK

stmicroelectronics

STL12N10F7

MOSFET N-CH 100V 44A POWERFLAT

stmicroelectronics

STP12N120K5

MOSFET N-CH 1200V 12A TO220

stmicroelectronics

STD8NM60N

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK