Tillverkare Produktnummer:
STU12N60M2
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STU12N60M2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventarier:
12877092
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STU12N60M2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
MDmesh™ M2
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
450mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
538 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
85W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-251 (IPAK)
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
STU12
Ytterligare information
Standard-paket
75
Andra namn
497-16024-5
-497-16024-5
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPS80R600P7AKMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IPS80R600P7AKMA1-DG
ENHETSPRIS
0.69
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STD11N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
STP12NM50
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
STP5N120
MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3
