Tillverkare Produktnummer:
STQ2LN60K3-AP
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STQ2LN60K3-AP-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 600mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventarier:
7300 Pcs Ny Original I Lager
12873757
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STQ2LN60K3-AP Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tape & Box (TB)
Serie
SuperMESH3™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
600mA (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
235 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-92-3
Paket / Fodral
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Grundläggande produktnummer
STQ2LN60
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,000
Andra namn
497-STQ2LN60K3-APTB
497-13391-1-DG
497-STQ2LN60K3-APCT
497-13391-3-DG
497-13391-1
497-13391-3
STQ2LN60K3AP
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STD3N80K5
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
STW26NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STW24NM60N
MOSFET N-CH 600V 17A TO247
