STQ1HNK60R-AP
Tillverkare Produktnummer:

STQ1HNK60R-AP

Product Overview

Tillverkare:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Delenummer:

STQ1HNK60R-AP-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 400mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventarier:

7445 Pcs Ny Original I Lager
12878150
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

STQ1HNK60R-AP Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tape & Box (TB)
Serie
SuperMESH™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
400mA (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
156 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-92-3
Paket / Fodral
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Grundläggande produktnummer
STQ1HNK60

Datablad och dokument

Datablad
STx1(H)NK60(-1,R)

Ytterligare information

Standard-paket
2,000
Andra namn
497-15648-1
STQ1HNK60R-AP-DG
497-15648-3

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
stmicroelectronics

STL6P3LLH6

MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT

stmicroelectronics

STL10N65M2

MOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLAT

stmicroelectronics

STW13N60M2

MOSFET N-CH 600V 11A TO247

stmicroelectronics

STP8NM50

MOSFET N-CH 550V 8A TO220AB