Tillverkare Produktnummer:
STP80N900K6
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STP80N900K6-DG
Beskrivning:
Linear IC's
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220
Inventarier:
13240144
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STP80N900K6 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
900mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
362 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
68W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Ytterligare information
Standard-paket
1
Andra namn
497-STP80N900K6
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STP80N1K1K6
Linear IC's
MMFTP5618-Q
MOSFET, SOT-23, P, -60V, -1.25A
DI050N06D1-Q
MOSFET, DPAK, N, 60V, 50A
