Tillverkare Produktnummer:
STP12N65M2
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STP12N65M2-DG
Beskrivning:
POWER MOSFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220
Inventarier:
12880198
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STP12N65M2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
MDmesh™ DM2
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
0V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
16.7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
535 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
85W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
STP12
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STY80NM60N
MOSFET N-CH 600V 74A MAX247
STD8NM60ND
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
STW69N65M5
MOSFET N-CH 650V 58A TO247
