Tillverkare Produktnummer:
STL180N6F7
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STL180N6F7-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 32A/120A PWRFLAT
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 32A (Ta), 120A (Tc) 4.8W (Ta), 166W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Inventarier:
12872416
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STL180N6F7 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
STripFET™ F7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Ta), 120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
79.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4825 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
4.8W (Ta), 166W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerFlat™ (5x6)
Paket / Fodral
8-PowerVDFN
Grundläggande produktnummer
STL180
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
497-19060-1
497-19060-2
497-19060-6
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
TPH2R306NH,L1Q
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2815
DEL NUMMER
TPH2R306NH,L1Q-DG
ENHETSPRIS
0.66
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SCT10N120H
SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
STD7N60DM2
MOSFET N-CH 600V 6A DPAK
STD5NM60-1
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
