Tillverkare Produktnummer:
STI6N90K5
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STI6N90K5-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 900V 6A I2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 900 V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventarier:
125 Pcs Ny Original I Lager
12880934
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STI6N90K5 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
MDmesh™ K5
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
900 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Vgs (max)
±30V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
110W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I2PAK
Paket / Fodral
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Grundläggande produktnummer
STI6
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
497-17075
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STB9NK60ZDT4
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
STE48NM50
MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP
STH275N8F7-6AG
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
