STI24NM65N
Tillverkare Produktnummer:

STI24NM65N

Product Overview

Tillverkare:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Delenummer:

STI24NM65N-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 650V 19A I2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventarier:

12879474
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

STI24NM65N Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
-
Serie
MDmesh™ II
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
160W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I2PAK
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
STI24N

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
50

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
IPI65R190C6XKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
480
DEL NUMMER
IPI65R190C6XKSA1-DG
ENHETSPRIS
1.52
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
stmicroelectronics

STW220NF75

MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3

stmicroelectronics

STD20NF06LAG

MOSFET N-CHANNEL 60V 24A DPAK

stmicroelectronics

STB120N4F6

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

stmicroelectronics

STD95N4F3

MOSFET N-CH 40V 80A DPAK