STI150N10F7
Tillverkare Produktnummer:

STI150N10F7

Product Overview

Tillverkare:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Delenummer:

STI150N10F7-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventarier:

Förfrågan Online
12880899
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

STI150N10F7 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
-
Serie
STripFET™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.2mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8115 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
250W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262 (I2PAK)
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
STI150

Datablad och dokument

Datablad
STx150N10F7

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
497-15015-5
-497-15015-5

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
stmicroelectronics

STL40N10F7

MOSFET N-CH 100V 40A POWERFLAT

stmicroelectronics

STSJ25NF3LL

MOSFET N-CH 30V 25A 8SOIC

stmicroelectronics

SCTW90N65G2V

SICFET N-CH 650V 90A HIP247

stmicroelectronics

STF3LN80K5

MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP