Tillverkare Produktnummer:
STI11NM60ND
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STI11NM60ND-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventarier:
12875599
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STI11NM60ND Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
-
Serie
FDmesh™ II
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
450mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
850 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
90W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I2PAK
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
STI11N
Ytterligare information
Standard-paket
50
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STP75NF75FP
MOSFET N-CH 75V 80A TO220FP
STN3NF06L
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STL7N10F7
MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
