Tillverkare Produktnummer:
STFI10N65K3
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STFI10N65K3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Inventarier:
1499 Pcs Ny Original I Lager
12880504
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STFI10N65K3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
SuperMESH3™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1180 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
35W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-281 (I2PAKFP)
Paket / Fodral
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Grundläggande produktnummer
STFI10N
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
497-13578-5
-497-13578-5
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STD80N3LL
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
IRF620
MOSFET N-CH 200V 6A TO220AB
STP80N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A TO220
