Tillverkare Produktnummer:
STF6N65M2
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STF6N65M2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventarier:
300 Pcs Ny Original I Lager
12877053
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STF6N65M2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
MDmesh™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.35Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
226 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
20W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220FP
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
STF6
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
-497-15035-5
497-15035-5
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SCTWA50N120
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
STP16NF06
MOSFET N-CH 60V 16A TO220AB
STB22NM60N
MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK